学校简介
中国科学院大学
985
211
双一流
34所自主划线
中国科学院大学(University of Chinese Academy of Sciences)简称“国科大”,是一所以科教融合为办学模式、研究生教育为办学主体的创新型大学,入选国家“世界一流学科建设高校”、“基础学科拔尖学生培养试验计划”,环太平洋大学联盟、京港大学联盟、中国高校行星科学联盟、中欧商校联盟成员,首批学位授权自主审核单位。
中国科学院大学,前身是1963年开始试办的中国科学院研究生院;1978年正式建校,校名中国科学技术大学研究生院,是经党中央国务院批准创办的新中国第一所研究生院;1982年之后,中国科学院批准同时使用校名中国科学院研究生院、中国科学技术大学研究生院。2000年12月,国务院学位委员会及教育部核准校名为中国科学院研究生院。2005年,中国科学院管理干部学院并入。2012年6月,经教育部批准更名为中国科学院大学,并于2014年开始招收本科生。
学校建设特色
985工程:985工程是指中国共产党和中华人民共和国国务院在世纪之交为建设
具有世界先进水平的一流大学而做出的重大决策。
1998年5月4日,时任国家主席江泽民在庆祝北京大学建校100周年大会上代表中国共产
党和中华人民共和国中央人民政府向全社会宣告:“为了实现现代化,我国要有若干
所具有世界先进水平的一流大学。”1999年,国务院批转教育部《面向21世纪教育振
兴行动计划》,“985工程”正式启动建设。
目前我国共有39所“985工程”高校。
211工程: 211工程是指面向21世纪、重点建设100所左右的高等学校和一批重 点学科的建设工程。于1995年11月经国务院批准后正式启动。 “211工程”是新中国成立以来由国家立项在高等教育领域进行的重点建设工 作,是中国政府实施“科教兴国”战略的重大举措、中华民族面对世纪之交的中国国 内外形势而作出的发展高等教育的重大决策。 目前我们有116所“211工程”高校
双一流:世界一流大学和一流学科(First-class universities and disciplines of the world ),简称“双一流”。建设世界一流大学和一流学科,是 中共中央、国务院作出的重大战略决策,也是中国高等教育领域继“211工程 ”“985工程”之后的又一国家战略,有利于提升中国高等教育综合实力和国际竞争力 ,为实现“两个一百年”奋斗目标和实现中华民族伟大复兴的中国梦提供有力支柱。 首批“双一流”建设高校共计137所,其中世界一流大学建设高校42所(A类36所,B类 6所),世界一流学科建设高校95所;双一流建设学科共计465个(其中自定学科44个 )。
211工程: 211工程是指面向21世纪、重点建设100所左右的高等学校和一批重 点学科的建设工程。于1995年11月经国务院批准后正式启动。 “211工程”是新中国成立以来由国家立项在高等教育领域进行的重点建设工 作,是中国政府实施“科教兴国”战略的重大举措、中华民族面对世纪之交的中国国 内外形势而作出的发展高等教育的重大决策。 目前我们有116所“211工程”高校
双一流:世界一流大学和一流学科(First-class universities and disciplines of the world ),简称“双一流”。建设世界一流大学和一流学科,是 中共中央、国务院作出的重大战略决策,也是中国高等教育领域继“211工程 ”“985工程”之后的又一国家战略,有利于提升中国高等教育综合实力和国际竞争力 ,为实现“两个一百年”奋斗目标和实现中华民族伟大复兴的中国梦提供有力支柱。 首批“双一流”建设高校共计137所,其中世界一流大学建设高校42所(A类36所,B类 6所),世界一流学科建设高校95所;双一流建设学科共计465个(其中自定学科44个 )。
招生学院及专业(2021年)
学位:学术学位
学院: 半导体研究所
专业: 半导体材料与器件(0805Z2)
研究方向: 低维半导体红外激光器与探测器|红外与太赫兹半导体器件|功能氧化物,多铁性材料|半导体激光器|宽禁带和超宽禁带半导体材料与器件|半导体材料,MEMS,微纳传感器|微纳结构材料光物理特性及其器件与光子集成|凝聚态物理,材料物理,计算物理|基于二维材料的被动锁模激光研究|太阳能电池,新型半导体材料与器件|碳化硅,石墨烯,半导体设备|半导体低维材料,光电子器件,量子器件|氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术|中远红外量子级联激光器|硅基微腔克尔光频梳及片上集成多波长光源,硅基量子纠缠光源,光量子集成芯片|宽带隙半导体材料与器件|硅基光互连,数据中心高速收发,相干混频|新能源|分子束外延,二维电子气,自旋轨道耦合,化合物半导体|宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备|半导体低维结构材料,半导体光谱物理及技术,半导体自旋电子学|半导体低维光电子材料与器件|量子级联材料、器件及物理|宽禁带半导体材料物理,半导体材料MOCVD生长|宽禁带半导体光电材料及系统集成|基于微电子技术的生物传感器研究|拓扑量子计算|III-V族半导体低维光电材料制备及器件应用|氮化物材料生长与器件研究|硅基光电子材料与器件|MEMS生化传感器|缺陷与杂质|低维材料生长,红外探测器|二维原子晶体材料与光电器件
学习方式: 全日制
拟招生人数: 专业:4(不含推免)
学校考试范围
09-低维半导体红外激光器与探测器 | 08-红外与太赫兹半导体器件 | 25-功能氧化物,多铁性材料 | 29-半导体激光器 | 24-宽禁带和超宽禁带半导体材料与器件 | 27-半导体材料,MEMS,微纳传感器 | 23-微纳结构材料光物理特性及其器件与光子集成 | 28-凝聚态物理,材料物理,计算物理 | 30-基于二维材料的被动锁模激光研究 | 26-太阳能电池,新型半导体材料与器件 | 10-碳化硅,石墨烯,半导体设备 | 13-半导体低维材料,光电子器件,量子器件 | 16-氮化物材料制备技术研究,深紫外LED材料生长和器件制备技术 | 17-中远红外量子级联激光器 | 02-硅基微腔克尔光频梳及片上集成多波长光源,硅基量子纠缠光源,光量子集成芯片 | 15-宽带隙半导体材料与器件 | 01-硅基光互连,数据中心高速收发,相干混频 | 19-新能源 | 04-分子束外延,二维电子气,自旋轨道耦合,化合物半导体 | 18-宽禁带半导体信息功能材料的外延生长、物理及器件制备 | 03-半导体低维结构材料,半导体光谱物理及技术,半导体自旋电子学 | 12-半导体低维光电子材料与器件 | 07-量子级联材料、器件及物理 | 05-宽禁带半导体材料物理,半导体材料MOCVD生长 | 11-宽禁带半导体光电材料及系统集成 | 06-基于微电子技术的生物传感器研究 | 14-拓扑量子计算 | 22-III-V族半导体低维光电材料制备及器件应用 | 21-氮化物材料生长与器件研究 | 20-硅基光电子材料与器件 | 31-MEMS生化传感器 | 34-缺陷与杂质 | 33-低维材料生长,红外探测器 | 32-二维原子晶体材料与光电器件
政治: (101)思想政治理论
外语:(201)英语一
业务课一:(302)数学二
业务课二:(804)半导体物理 | (809)固体物理
备注:无
一志愿拟录取成绩分布
| 分数区间 | 分数不详 |
|---|---|
| 2019 | 5 |
往年拟录取分析
| 年份 | 专业名称 | 一志愿人数 | 调剂人数 | 最低分 | 最高分 | 建议分数 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2019 | 半导体材料与器件 | 5 | 0 | 不详 | 不详 | 不详 |
历年国家分数线
| 年份 | 专业名称 | 单科=100分 | 单科>100分 | 总分 |
|---|---|---|---|---|
| 2021 | 半导体材料与器件 | 37 | 56 | 263 |
| 2020 | 半导体材料与器件 | 37 | 56 | 264 |
| 2019 | 半导体材料与器件 | 39 | 59 | 270 |
| 2018 | 半导体材料与器件 | 34 | 51 | 260 |
调剂去向
2018年调剂去向
| 学校属性 | 最低分 | 最高分 | 调剂人数 |
|---|---|---|---|
| 其他 | 292 | 292 | 1 |
| 浙江理工大学1人 | |||
联系方式
网址:http://admission.ucas.edu.cn
电话:010-82640446
地址:北京市石景山区玉泉路19号
邮箱:ao@ucas.ac.cn
本专业招生院校地区分布图
A区分布
北京(1)
中国科学院大学
上海(1)
东华大学
江西(1)
南昌航空大学
B区分布
云南(2)
云南大学;昆明理工大学
甘肃(1)
兰州理工大学
各地区招生及报考数据总览表
#(序号) Ⅰ(地区) Ⅱ(学校数量) Ⅲ(所在地区报考人数) Ⅳ(意向专业招生人) Ⅴ(所在门类考试人数
| Ⅰ | Ⅱ | Ⅲ | Ⅳ | Ⅴ |
|---|---|---|---|---|
| 甘肃 | 1 | 5.5万 | 18 | 1.3万 |
| 江西 | 1 | 6.1万 | 9 | 2.0万 |
| 上海 | 1 | 25.9万 | 5 | 1.8万 |
| 云南 | 2 | 6.3万 | 5 | 1.2万 |
| 北京 | 1 | 42.5万 | 4 | 2.8万 |